技术编号:18399901
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。实施例涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。背景技术包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有诸如宽且易于调节的带隙能量的许多优点,因此该器件能够不同地用作发光器件、光接收器件和各种二极管。特别地,通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够由于薄膜生长技术和器件材料的发展实现具有诸如红色、绿色、蓝色和紫外线的各种波长带的光。另外,通过使用III-V族或II-VI族化合物半导体材料获得的诸如发光二极管和激光二极管的发光器件能够通过使用荧...
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