技术编号:18402866
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法,属于半导体材料技术领域。背景技术Ⅲ族氮化物半导体材料主要是指InN、GaN、AlN及其组成的三元、四元合金材料。第三代半导体材料,相对于第一代半导体材料Si、Ge材料体系和第二代半导体AlGaAs材料体系,具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好、耐化学腐蚀等优良的性质(文献1:王党会.Ⅲ族氮化物半导体外延层薄膜的生长与表征研究[D].西安电子科技大学,2012)。GaN/AlGaN异质结结构由于自发极化与...
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