技术编号：18403436
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体而言涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种制造光电二极管的方法。此外，本发明还涉及一种光电二极管。背景技术光电二极管是一种广泛应用于成像领域、光纤通信领域、激光测距等众多领域的重要半导体器件，其用于将光信号转换成电信号，其原理是，光电二极管的反向偏置的PN结在一定波长辐射的照射下，由于光生载流子的影响会出现反向电压或电流的变化，该变化与光辐射强成比例，通过检测该变化可确定光辐射强度。在光电二级光的制造工艺中，目前通过高能多重注入方式来形成光电二极管的多个注入区，即通过高能量的多次注入形...
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