技术编号:18403498
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,尤其涉及一种GaN HEMT非线性噪声模型建立方法。背景技术器件模型在电路设计中起着至关重要的作用,在电路设计和工艺设计之间发挥着桥梁的作用。精确的器件模型显得越来越重要,这不仅会提高电路设计的准确性,减少工艺反复,而且会降低产品成本,缩短研制周期。GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有非常高的二维电子气(2-DEG)浓度、高饱和电子迁移速度和高功率密度等优点,使得GaN HEMT器件在低噪声应用领域具有GaAs器件无法比拟的优势,例如:具有更好的线性特性...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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