技术编号：18408489
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板。背景技术低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly Silicon Thin Film Transistor，LTPS-TFT)具有制备温度低、载流子迁移率高以及器件尺寸小等突出优点，是发展低功耗以及高集成度显示面板的关键技术。基于矩阵显示逐行扫描的原理，当逐行扫描的栅极扫描线电压低于TFT的阈值电压时，TFT的导电沟道处于截断状态，此时像素电路处于关态；当逐行扫描的栅极扫描线电压高于TFT阈值电压时，TFT...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。