技术编号:18409618
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及工业废水处理技术领域,尤其是涉及一种含氟含铵蚀刻废水的处理方法。背景技术在半导体制造业中,细微尺寸图案的制定是借助蚀刻技术以形成积体电路的器件架构,而蚀刻技术中的湿法蚀刻是利用一些特定化学试剂将待蚀刻薄膜部分分解,转化为可溶性化合物进入水相而达到蚀刻目的。正如利用氢氟酸为主要蚀刻液,选择性腐蚀硅片上薄膜,氟化铵作为缓冲剂保持蚀刻率与氢氟酸依比例混合使用,同时为提高润湿性还加入了一些有机类添加剂或表面活性剂。待蚀刻完成后会有大量蚀刻废水产生,此废水中含有氟硅酸、氟化铵与有机物等,若未经处...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。