技术编号：18416157
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用在制造半导体设备的工序中采用的真空容器内部的处理室内形成的等离子体、对载置在配置于该处理室内的样品台上的半导体晶圆等基板状样品进行处理的等离子体处理装置，特别是有关在将载置在样品台上的样品的面内温度保持在期望的值并且进行处理的等离子体处理装置。背景技术伴随半导体设备微细化的趋势，为了制造半导体设备而需要的蚀刻处理所要求的精度正逐年变得严格。在使用真空容器内部的等离子体对半导体晶圆进行蚀刻处理的等离子体处理装置中，为了与这样的课题相对应，重要的是将蚀刻中的样品的表面温度控制在期望的值...
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