技术编号:18416161
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。背景技术在半导体器件的制造工序中,有时通过实施向晶片等衬底交替供给原料气体等第一处理气体、和反应气体等第二处理气体的等离子体的循环处理,从而对该衬底实施成膜处理等处理(例如,参见专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2015-92533号公报发明内容发明要解决的课题本发明提供一种能够良好地对衬底实施处理的技术。用于解决课题的手段根据一个方案,提供一种技术,其具有下述工序:第一工序,其中,向收容有衬底的状态的处理空间供给第一处...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。