技术编号:18426760
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及中点箝位型三电平电路技术领域,具体而言,涉及一种吸收电路、中点箝位型三电平电路及逆变器。背景技术随着电力电子技术的发展,以高压IGBT为代表的性能优异的逆变器的发展引人注目,其中,中点箝位型逆变器得到广泛应用。在中点箝位型三电平逆变器的电路中,IGBT管关断或续流二极管反向恢复时,过高的电流变化率会在IGBT管和二极管两端产生电压尖峰并引起震荡,容易使电路中的IGBT管或二极管等元器件受到损坏,依靠现有技术中的多层复合母排设计不足以消除中点箝位型三电平电路中杂散电感所引起的尖峰电压...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。