技术编号:18429601
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,特别是涉及一种激光辅助氮化镓晶体化学机械抛光方法。背景技术制备晶圆片的最后一步是化学机械平坦化(CMP,Chemical Mechanical Planarization,又叫化学机械抛光)它的目标是高平整度的光滑表面。平整度是晶圆片最主要的参数之一,主要因为光刻工艺对局部位置的平整度是非常敏感的。晶圆片平整度是指在通过晶圆片的直线上的厚度变化,它是通过晶圆片的上表面和一个规定参考面的距离得到的。对于一个晶圆片来说,如果它被完全平坦地放置,参考面在理论上就是绝对平坦...
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