技术编号：18436443
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体技术领域，具体为一种IGBT元胞结构版图。背景技术IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。在现代半导体电子工业中，IGBT元胞结构版图得到了广泛使用，现有的结构版图在使用时，栅极压焊点和源极压焊点与元胞区之间的位置存在差异，这样容易使得元器件的开关时间不一，从而导致...
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