技术编号:1844620
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体制造,并且进一步涉及衰减相移反射光刻技术。背景技术 当前,透射光学蚀刻技术在半导体制造中被用于形成图案层。由于在光刻技术中分辨半导体器件特征的能力与光源的波长成比例,则光源的波长需要随着器件尺寸的缩小而缩小。为了对尺寸小于大约70纳米的器件构图,一个可选方案是使用波长在远紫外(EUV)状态的光源。如在此所用的,该EUV状态有一个在大约4-25纳米之间,更确切地说,在13-14纳米间的特征波长。由于难以寻找当曝光于EUV波长的光时,透射E...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。