技术编号：18453641
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种MEMS感知器结构。本发明还涉及一种MEMS感知器结构的制造方法。背景技术非晶硅是硅的同素异形体形式，能够以薄膜形式沉积在各种基板上，为各种电子应用提供某些独特的功能。非晶硅被用在大规模生产的微机电系统(MEMS)和纳米机电系统(NEMS)、太阳能电池、微晶硅和微非晶硅、甚至对于各种基板上的滚压工艺技术都是有用的。在MEMS感知器结构的桥梁结构中就采用到非晶硅，桥梁结构的导电材料层形成在非晶硅的表面上。如图1所示，是现有MEMS感知器结构的桥梁结构...
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