用于通过施加多个位线偏置电压在非易失性存储器器件中编程的方法与流程技术资料下载

技术编号:18456868

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本发明涉及一种用于在非易失性存储器器件中编程的方法,并且更具体地说,涉及一种用于通过施加多个位线偏置电压来在非易失性存储器器件中编程的方法,以减小瞬时阈值电压偏移的影响以及由于读取噪声或随机电报噪声(RTN)导致的分布较低尾部。背景技术诸如闪存的非易失性存储器器件已成为各种移动设备中的选择的储存器。与随机存取存储器不同,闪存是非易失性的,即使在电源关闭后也能保留其存储的数据。增量步进脉冲编程(ISPP)是用于实现用于多级单元闪存的紧密阈值电压分布的关键使能者(enabler)。该方法的特征在于通...
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