技术编号:1845924
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种单晶硅拉晶用氧化硅(silica)玻璃坩埚。 背景技术支撑现今IT化社会的电子技术中,应用于此技术中的半导体设备等的制造上硅晶片是不可或缺的。这种硅晶片的特征之一是具有氧析出物、位错、氧化积层缺陷等的微小缺陷。这种微小缺陷一方面具有可以捕获在设备工艺中发生的重金属污染的有益效果,另一方面,会成为设备不良的原因。从而,根据设备的种类或所使用的设备工艺的不同,有必要将结晶中的氧浓度调整为规定浓度。目前,作为单晶硅的制造方法,通常采用被称为切克劳斯...
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