技术编号：18459532
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请属于沟槽形貌技术领域，具体地说，涉及一种功率器件沟槽形貌的优化方法。背景技术随着应用终端需求的加强和能效要求的不断提升，沟槽式功率器件因其在提升器件性能的同时，也可缩小芯片面积的优势得到快速发展，如：SBD、MOS、IGBT等器件均从平面型向沟槽式器件转化。研发性能优越的沟槽功率器件，沟槽形貌成为了技术热点，且对加工工艺和设备提出了更高的要求。沟槽形貌的要求一般是：底部较为圆滑；侧壁光滑，角度稳定，倾斜角在85°～90°之间；顶部没有尖角。以目前国内功率器件晶圆厂为例，部分8寸线的沟槽刻蚀...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。