技术编号:18459604
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子技术领域,具体地,涉及一种获得刻蚀深度极限值的方法。背景技术深硅刻蚀在微电子产业中具有广泛而重要的应用,如在集成电路制造领域,需要在两层互联金属线之间的层间膜内制作深硅刻蚀通孔结构,并在该通孔中填入互联金属,以将晶体管连接成具有一定功能的器件回路;又如在封装领域,TSV(Through Silicon Vias,硅通孔)技术仍然是提升器件性能、降低功耗和减小器件体积的主流封装方法。深硅刻蚀通常采用刻蚀的方法获得,由于其具有较大的深宽比,因此传统的湿法刻蚀很难完成,必须采用干法刻蚀...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。