技术编号：18459905
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于无机半导体发光材料的制备技术领域，具体涉及一种基于多层包覆的X射线成像用高稳定卤素钙钛矿量子点薄膜的合成方法。背景技术全无机钙钛矿量子点（CsPbX3，X=Cl, Br, I）是一种离子型半导体材料，量子点表面配体的结合处于动态吸附的过程，在分离和纯化过程容易造成大量配体的损失，从而导致发光效率和稳定性下降，这将制约量子点在光电显示器件的实际应用。此外，目前大量使用的X射线成像设备的工作原理是间接成像，即用闪烁体吸收X射线并发出荧光，由面阵探测器探测荧光的强弱进行成像。所以，闪烁体的光...
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