技术编号:18462488
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶振片生产工艺,具体涉及晶振片镀膜工艺。背景技术为提高晶振片的电性性能,研发了本工艺。发明内容本发明针对上述问题,提供了一种晶振片镀膜工艺,在铬层镀膜完成后,保持铬蒸发源和金蒸发源同时开启,在铬层上形成铬金共金属层,然后镀上金层,因铬金共金属层的存在,提高铬和金的结合力,整体性能、使用寿命延长,监测性能更稳定。为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:晶振片镀膜工艺,在真空箱内对晶振片进行镀膜,真空箱内部上部设置晶振片,下部设置铬蒸发源、金蒸发源,镀膜过程如下:步骤1)开启铬蒸发...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。