技术编号:18463037
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种碳化硅单晶生长中的籽晶固定装置,属于碳化硅材料技术领域。背景技术碳化硅(SiC)单晶材料具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低、化学稳定性好等优点,被认为是制造光电子器件、高频大功率器件、电力电子器件理想的半导体材料,在白光照明、光存储、屏幕显示、航天航空、高温辐射环境、石油勘探、自动化、雷达与通信、汽车电子化等方面有广泛应用。目前生长碳化硅晶体最有效的方法是物理气相传输PVT法,首先在石墨坩埚的底部填入高纯原料,石墨盖顶部粘贴籽晶,在坩埚外部采用...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。