技术编号:1846326
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种利用碳化硅接合层使碳化硅构件彼此接着而成的碳化硅接合体及该接合体的制造方法。背景技术碳化硅陶瓷由于在常温及高温下化学稳定,并且高温下的机械强度也优良,因此被用作高温材料。近年来,在半导体制造领域中,逐渐将耐热性、耐蠕变性优良的高纯度的碳化硅陶瓷烧结体用于对半导体晶片进行热处理、或者使微量元素热扩散到半导体晶片中的工序中的舟皿或工艺管等。另外,近年来由于碳化硅单晶元件的高温退火处理是在1600°C 1700°C的温度下进行,因此需求相当高的耐热...
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