技术编号:1847476
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种储能陶瓷的制备方法。 背景技术为了满足脉冲功率系统的小型化和高储能密度的需求,各国材料工作者正积极探索研究具有高介电常数ει·、低介电损耗tan δ和高击穿强度的介质材料,而BiixSivxTiO3 陶瓷因具有良好的铁电性、压电性、热释电性、电光及非线性光学等特性,广泛应用于微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域。B^l3Sra7TiO3陶瓷在室温为顺电相, 具有低的介电损耗及较高的介电常数和击穿场强,G. R. Love等研究表...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。