技术编号:18483016
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子制造技术领域,尤其涉及一种InP阻变存储材料的制备方法和应用。背景技术随着便携式消费类电子产品的蓬勃发展,人们对非挥发存储器的容量和集成密度提出了越来越高的要求。为了提高存储器的集成密度,器件尺寸不断缩小,多值存储技术获得越来越广泛的应用,3D堆叠技术也逐渐成为研究热点。然而,器件尺寸的缩小终将走向物理极限,多值存储技术的可靠性及其它各项性能也都存在很多问题,而3D技术则因面临材料选择、器件结构、工艺实现难度等诸多艰巨的挑战也暂时不会迅速推广,因此,为了实现更高的数据存储密度、更...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。