技术编号：1848475
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉 及往半导体制造过程等所使用的部件上镀附的氮化铝膜。 背景技术在干法制造半导体的过程中，常常使用反应性较高的氟类、氯类等卤素类的腐蚀性气体作为刻蚀和净化用气体。对于与此类腐蚀性气体接触的部件，要求具有高的耐蚀性。以往，对于被处理对象以外的与此类腐蚀性气体相接触的部件，通常是采用不锈钢、铝等的耐蚀性金属材料。不过，近几年已得到确认，氧化铝和氮化铝尤其对于卤素类气体是耐蚀性很出色的材料。氮化铝膜本身，通常呈黄白色。但作为晶座(susc印tor)、接线夹...
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