技术编号：18490055
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及直拉硅单晶生产工艺，具体涉及一种直拉重掺锑硅单晶锑源提纯装置。背景技术直拉硅单晶固体掺杂源的掺杂方法大致可分为：1、共熔法；2；投入法；气相掺杂法。锑元素的熔点低(630℃)，极易挥发。根据固体掺杂锑源的物理化学特性，在生产重掺锑硅单晶时，一般选用投入法，首先将多晶材料投入到单晶炉内部的石英坩埚中，再经过装料、抽空、检漏和充氩，保持单晶炉内部炉压后，进行加热升温，多晶硅料经过正常条件的全部熔化后，将计算好的相应量的锑源通过掺杂勺或掺杂机构从石英坩埚上方投入到石英坩埚内部，到多晶材料...
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