技术编号:1850425
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种利用磁力搅拌激励的垂直沉积技术生长多晶碘化汞薄膜的工艺, 生长出来的多晶碘化汞薄膜作为过度缓冲层,特别适合于X射线、Gama射线多晶碘化汞厚膜探测器的制备,本发明属化学液相沉积。背景技术碘化汞晶体因其禁带宽度大、原子序数高、电阻率高、吸收截面大以及室温时体电流小等优点,被国内外认为是一种新型室温半导体核辐射探测器材料。在室温下,其制得的高能辐射探测器对X、Gama射线能量分辨率较高,可用于航空航天、环境监测、安全检查、核医学和高能物理等众多领...
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