技术编号:18507750
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及集成电路设计领域,具体涉及一种低压降镜像电流源电路。背景技术CMOS工艺中,传统镜像电流源由两个相互匹配的MOS管组成,其中一个MOS管按照二极管方式连接并接入参考电流源,另一个MOS管的漏极为电流输出端,其高输出电阻主要是通过电流输出MOS管较大的漏源电压(即电流源压降)和较长的沟道长度保证的。深亚微米CMOS工艺的电源电压已降至1.2V甚至更低,电压裕度对于模拟电路来说十分紧张,对于电压缓冲器等处理大信号(输入信号幅度大于300mV)的模拟电路来说,情况更加严峻,保证每个MOS...
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