技术编号：18517533
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法。背景技术图像传感器可用于感测辐射，例如，光辐射，包括但不限于可见光、红外线、紫外线等。图像传感器按照其接收辐射的方式分为背照式(BSI)图像传感器和前照式(FSI)图像传感器。背照式图像传感器能够从其背面接收辐射。不同于前照式图像传感器，在背照式图像传感器中，布线等可能影响辐射接收的部件基本位于基底的正面，而光线从基底的背面入射进入。这样，能够使入射光入射到光电二极管中，而不会被布线遮挡，从而提高了入射光量，能够显著提高光照条件下的拍摄效...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。