技术编号：18524760
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种用于碳化硅单晶生长的坩埚盖、坩埚及单晶生长的方法。背景技术碳化硅是碳元素和硅元素形成的化合物，目前已经发现的碳化硅的同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型碳化硅单晶具有宽禁带，高热导率、高临界击穿电场和高饱和电子漂移速度等优点，而被广泛用于电力电子、射频器件、光电子器件等领域。目前比较成熟的碳化硅单晶生长技术是物理气相输运(PVT)法，即在高温下使碳化硅粉料升华，通过轴向温度的差异而输运至籽晶表面重新结晶。在PVT生长碳化硅的过程中，由于生长容...
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