技术编号:1855243
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于提拉单晶硅的。背景技术在单晶硅的制造中,通常采用的是使用氧化硅玻璃坩埚的切克劳斯基法(CZ法)。 具体而言,向氧化硅玻璃坩埚内部放入熔化多晶硅原料而得的硅熔液,然后将单晶硅的品种浸溃于其中,旋转模具的同时慢慢提拉,以单晶硅的品种为核心使其生长而制造单晶硅。此时使用的氧化硅玻璃坩埚,这种坩埚具有由含有大量气泡的外层和透明内层构成的双层结构,通常以边旋转模具边按照用电弧熔化方式对氧化硅粉层进行熔化的成形法被制得(例如,参照专利文献I)。众所周...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。