技术编号:18603826
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化镓晶体生产技术领域,尤其涉及一种氮化镓晶体生长装置及其生长方法。背景技术氮化镓作为第三代半导体材料的代表,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高及介电常数小等独特的性能,这使其在光电子器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器等方面具有广阔的市场前景。氮化镓单晶的生长方法有氢化物气相外延法、高压氮气融溶法、氨热法、Na助熔剂法等,其中氨热法应用较为广泛。使用氨热法生长氮化镓单晶时,氨作为溶剂被填充至反应容器中。图1示出了现有技术中的一种氮化镓晶体生长装置。如图1...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。