技术编号:18626905
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶硅电池制造技术领域,具体涉及一种晶硅电池、晶硅电池组件及太阳能系统。背景技术晶硅电池如异质结电池为以n型单晶硅片(c-Si)为衬底,在经过清洗制绒的n 型单晶硅片(c-Si)正面依次沉积厚度为5~10nm 的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)、p型非晶薄膜(p-a-Si:H),从而形成p-n异质结;在n 型单晶硅片(c-Si)背面依次沉积厚度为5~10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)、n型非晶硅薄膜(n-a-Si:H)形成背表面场;在掺杂a-Si:H薄膜的两侧再沉积透明导电氧...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。