技术编号:18641620
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路设计领域,应用于低功耗高速的应用场景。背景技术在集成电路设计中,由于各模块电路对电源的需求存在差异,片上LDO为满足不同模块对电源的差异化需求,常采用对应性能较好的片上LDO结构,以满足应用需求的前提下降低设计风险难道和版图面积;在一些负载电流变化剧烈的应用中,对片上LDO的响应速度有较高的要求,而较高的响应速度需要消耗较高的功耗。图1为一种典型的片上电容LDO结构,差分对管采用对称结构,该结构的单位增益带宽GWB1可以用[Equ.1]表示;功率管MP栅极结点VG的摆率SR1可...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。