技术编号：18662041
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺领域，更详细地说，本发明涉及一种高k介质层金属栅极整合工艺中栅介质层的制造方法。背景技术目前高k介质层金属栅极(HKMG)整合工艺中，使用金属栅极来调制有效功函数。如何在后续的高温过程中阻止金属栅极中的金属原子穿过阻挡层(Barrier layer)扩散至栅介质层中，造成有效功函数的漂移，是制备工艺中需要考虑的一个问题。例如，现有技术中通常采用在沉积氧化铪栅介质层后进行掺氮处理以阻止钛铝合金栅极中铝原子的扩散，降低阈值电压(Vt)的异常值比例，提高器件的高温工作寿命。为满足该...
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