技术编号:18662047
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种半导体器件的形成方法。背景技术随着半导体器件体积的缩小,半导体结构的尺寸变得更小。此时,需要与小尺寸结构相适应的其他结构。通常,利用光刻胶对材料进行刻蚀,进而得到小尺寸的器件和结构。但是利用光刻胶刻蚀得到的结构,其尺寸并不能达到预期目标,即发生尺寸的偏大或者偏小,而且形成结构的侧壁粗糙度比较大。更重要的是,利用光刻胶不能获得较小尺寸的沟槽或结构线段。因此,亟须一种能够形成较小尺寸沟槽或者结构线段的半导体器件的形成方法。发明内容本发明的实施例公开了一种半导体器...
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