技术编号:18662144
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路设计及制造技术领域,特别是涉及一种半导体结构、UHV器件及其制备方法。背景技术在现有的半导体工艺中,为了满足特定器件性能的需求,需要对浅沟槽(譬如,浅沟槽隔离,STI)的侧壁进行离子掺杂,且对掺杂离子的掺杂剂量及掺杂离子在所述浅沟槽的侧壁的分布有特定的要求。然而,用于形成浅沟槽的轮廓的限制,在采用离子注入工艺对浅沟槽的侧壁进行离子注入时需要对严格控制离子注入角度以得到所需的掺杂剂量分布;然而,在现有很多情况下由于工艺等各种条件的制约,在对浅沟槽侧壁进行离子注入时,很难通过控制离...
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