技术编号：18699486
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及适合于例如(但不限于)射频器件中的开关元件的场效应晶体管(FET：field-effect transistor)、该场效应晶体管的制造方法、以及包括该场效应晶体管的射频器件。背景技术被构造成开启和关闭射频(RF：radio frequency)的射频开关(RF-SW：Radio-frequency switch)被用于诸如移动电话等便携式通信终端的前端。在这样的射频开关中，一个重要的特性是从该射频开关内通过的射频具有低损耗。为了这样的低损耗，重要的是：需要减小FET在接通状态...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。