技术编号:18701049
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开内容的实施方式总的来说涉及由Y2O3和ZrO2组成的耐蚀陶瓷材料,并且具体地涉及由这种耐蚀陶瓷材料制成的腔室部件。背景技术在半导体工业中,通过许多制造工艺制造器件,以产生大小不断减小的结构。一些制造工艺(诸如等离子体蚀刻工艺和等离子体清洁工艺)将基板暴露于高速等离子体流以蚀刻或清洁基板。等离子体可能是高度腐蚀性的,并且可能腐蚀处理腔室和暴露于等离子体的其它表面。发明内容在一个实施方式中,一种用于处理腔室(例如,用于半导体处理腔室)的腔室部件包括陶瓷主体,所述陶瓷主体由基本上由Y2O3-Zr...
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