技术编号：18718045
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及组装于电子设备的电容器，特别是涉及适合于低ESR的电容器。背景技术以薄膜工艺形成了电介质层和夹着电介质层的电极的薄膜电容器，通常发挥小型且ESL(等效串联电感)低的特性，用于高频电路的滤波器、匹配电路。例如专利文献1所示那样，以往的薄膜电容器具备由上部电极与下部电极夹着高介电常数的(BaxSr1-x)TiO3膜(以下，称为“BST膜”)的构造。在氧化环境气中，BST膜例如在800℃以上且1000℃以下左右的高温下烧制。因此，下部电极使用耐氧化性优秀的Pt(铂)薄膜。W(钨)虽也适合...
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