技术编号：18732605
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本说明书涉及功率半导体器件、功率半导体模块的实施方式以及功率半导体器件加工方法的实施方式。特别地，本说明书涉及用于功率半导体器件的增强负载端子结构以及制造这样的增强负载端子结构的方法。背景技术现代器件在汽车、消费和工业应用中的许多功能(如转换电能以及驱动电动马达或电机)依赖于功率半导体器件。例如，仅举几个例子，绝缘栅双极晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及二极管已经用于各种应用，包括但不限于电源和功率转换器中的开关。功率半导体器件通常包括半导体结构，该半导...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。