技术编号:18732720
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路设计及制造技术领域,特别是涉及一种用于三维存储器的叠层结构、三维存储器及其制备方法。背景技术在现有的半导体工艺中,随着对存储器密度要求的不断提高,三维存储器中叠层结构的数量不断提高,在所述叠层结构中形成的沟道通孔(CH)的深宽比也越来越高。对于深宽比较高的沟道通孔,由于受到现有刻蚀工艺的限制,形成的沟道通孔的底部形貌较差,譬如,沟道通孔的底部的形貌会变形(distorition)或有条痕(striation)等缺陷,同时,形成的沟道通孔的宽度不一致,譬如,下部的宽度(CD)会小...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。