技术编号:18735920
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及变流器内部的布局,具体涉及一种SiC MOSFET变流器的布局方法及SiC MOSFET变流器。背景技术随着宽禁带半导体器件的出现使电力电子设备可以工作在更高的工作电压、功率、功率密度、开关频率、工作温度,以及更低的体积、损耗等,目前采用大功率SiC MOSFET模块取代Si IGBT模块成为推动大功率变流器性能提升的有效方法。但由于SiC MOSFET模块快速的开关速度,所以SiC MOSFET驱动模块与SiC MOSFET模块栅源极之间的连接必须保证尽可能地短,否则在开关过程中其栅...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。