技术编号：18745099
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求2017年2月6日提交的美国申请No.15/425,899的优先权，其全部内容通过引用并入本文以用于所有目的。技术领域本公开涉及一种在半导体晶片上形成半导体器件的方法。更具体地，本公开涉及在形成半导体器件中蚀刻氧化硅和氮化硅。背景技术在形成半导体器件中，特征会在蚀刻氧化硅和氮化硅的位置处被蚀刻。发明内容为了实现前述内容并且根据本公开的目的，提供了一种在等离子体处理室中相对于结构的SiGe和Si选择性地蚀刻SiO和SiN的方法。提供多个循环的原子层蚀刻，其中每个循环包括氟化聚合物沉积阶段...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。