技术编号：18752443
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开一种用于去除金刚石线切割多晶硅后表面产生的切割痕的方法，基于MACE(金属辅助化学腐蚀法)制备黑硅减反结构的基础上，利用腐蚀过程中的各向异性去除金刚线切割多晶硅片表面切割痕，同时也大大降低的硅片表面的反射率，对未来低成本、高转换效率的金刚线切割多晶硅太阳电池的制备具有重要的应用潜能。背景技术当前晶体硅(单晶和多晶)太阳电池片的光伏发电是光伏发电的主流领域，但由于其成本太高无法取代传统能源，降低成本成为这一行业最大的问题，而晶硅太阳电池的成本很大程度上与硅料的生产密切相关。为了降低太阳能...
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