技术编号:18752594
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件及其制造方法,特别是涉及一种CMOS器件及其制造方法。背景技术提高器件性能一直是CMOS技术关注焦点,现有的成熟方案包括应变工程、高--k金属栅技术及非平面的多栅器件结构等。传统应变技术主要通过外延形成源漏进而在沟道引入希望的应力(nMOSFET引入张应力,pMOSFET引入压应力)。因为n型和p型MOSFET器件需要引入不同应力,因此外延只能分步进行,带来工艺上的复杂性。通过简单工艺在两种器件的沟道同步引入或进一步增加所需类型的应变将很有价值。另一方面,在现有平面CMO...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。