技术编号:18789387
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种工艺腔室和一种包括该工艺腔室的半导体处理设备。背景技术半导体后段制程主要是金属互连工艺,在金属层之间用含硅氧的绝缘介质作为隔离形成多层互连。随着后段工艺的尺寸逐步缩小,以及互连层数的增加,RC延时(RC delay)逐渐成为一个影响器件速度的突出问题。要降低RC delay,一方面是降低金属线电阻,即R,另外一方面就是降低器件寄生电容,即C,这个电容主要是通过减小绝缘介质的介电常数K来实现的。为了降低绝缘介质层的K值,紫外固化处理已经成为一种非常必要而有...
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