技术编号：18820110
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种碳化硅层叠基板及其制造方法。背景技术半导体功率元件除高耐压外，还要求低接通电阻、低开关损耗，但目前主流的硅(Si)功率元件接近理论上的性能极限。与Si相比，碳化硅(SiC)的绝缘击穿电场强度高约一个数量级(位)，因此，通过使保持耐压的漂移层减薄至约1/10、使杂质浓度增高约100倍，能够使元件电阻在理论上降低三个数量级以上。另外，因为相对于Si而言带隙约三倍大，所以也可以进行高温动作，期待着SiC半导体元件具有超过Si半导体元件的性能。专利文献1(日本特表2007－506289号公...
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