技术编号:18820122
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求享有于2017年11月23日提交的中国专利申请No.201711185087.4的优先权,其全部内容通过引用的方式合并于此。技术领域本公开内容涉及一种三维(3D)存储器结构及其制造方法,具体而言,涉及一种包括3D存储器单元和外围电路的3D存储器结构及其制造方法。背景技术通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺,将平面存储器单元缩放到更小的尺寸。然而,随着存储器单元的特征尺寸接近下限,平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高。结果,平面存储器单元的存储密度接近上限。3D存储器架构可...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。