技术编号：18820168
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。为了电接触半导体器件的集成电路或半导体器件的另一部分，常用的方法是形成穿过器件的硅衬底的硅通孔。因此，在衬底中形成沟槽。沟槽至少部分地填充有导电接触材料，并且接触材料与衬底电隔离。被布置在衬底的电路侧的集成电路能够通过硅通孔电接触。硅通孔可以在衬底的背离衬底的电路侧的接触侧处通过焊料凸点电接触。以这种方式，器件或集成电路能够从衬底的接触侧电接触。硅通孔的接触材料与多个金属层电连接，所述金属层在垂直方向上与硅通孔重叠。通常，在硅通孔的沟槽下方布置多个金属层。不同的金属层通过垂直连接彼此电连接。金属...
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