技术编号:18837972
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及电子技术领域,特别涉及一种半导体器件过热保护电路。背景技术目前各大半导体厂家生产的IGBT、MOS等半导体器件内部均无温度检测及过热保护设计,客户应用时通常是在半导体器件散热面贴装金属散热器或者仅靠空气流通方式来对半导体散热。但这两种方式均无法对半导体器件自身温度进行判断,在半导体散热面与散热器接触不良、半导体本体积灰严重或散热器表面积灰严重情况下,半导体内部PN结温度可能会急剧上升,导致半导寿命减短甚至过热损坏。为了避免半导体散热不良带来的不良影响,实际应用时需要外接温度检测电路...
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